Aixtron geht seinen Weg

 

dass Foren auch ein Ort sind, um Tagträume ausleben zu können. Und BG hat uns an dem seinen teilhaben lassen. Danke dafür !

 

MfG, Humorlos

 

Ich hatte auch mal geschrieben wer wohl wer ist, prompt wurde ich gelöscht.


Borsenguhru, Dagobertstaler (Meister im Löschungsverursacher) Oledoublee, sind immer noch hier im trader mit andere name. Jede am Tag seine selbst Sperrung neu Angemeldet mit neu Namen. Andere Notgedrungen mit neu ID weil Besserwisser sie sperrenlassen haben.

Reinschau in eine depot kann noch nicht mal mein Bankier, erst wenn ich zwei zahlen mein 10er Passwort sage, hat einblick, daher lasst euch von niemanden verarschen.
Zu Aixtron der kommt noch, der boden um die 9,50€ ist da, wenn genügend leute die geduld verloren haben und verkauft haben, dann steigt wieder.
der Aussage von Aixtron Chef bei der Versammlung ist nach meine Meinung so gewollt um nur  billig am Aixtron ran zukommen. dieses Jahr sehen wir noch die 14€ von Verobello....  

mit abstand das schlechteste Aixtron Forum auf allen Boards...!

Alle leben hier irgendwelche Neurosen aus, aber zur Sache trägt keiner mehr was bei...!

Das jemand wirklich etwas mit Substanz vortrug muss wohl vor einigen Wochen Wubert gewesen sein. Seitdem nur noch Gestreite und teilweise wirklich krankhafte Zustände hier, von einigen eher uninteressanten, weil überall verbreiteten Informationen abgesehen.

 

Ende 24.04.2008, Neu 24.04.2004 mit Mir reicht es... 24.04.08

Jeder soll Denken wie er will,  Ob einer und der selbe ist soll der Ariva Moderator entscheiden nicht wir.

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dagobertstaler

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4   was mir mehr Sorgen macht ist n. 31.01.08
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Eine lebendige Diskussion gehört eigentlich in jedem Forum, dabei ist es vollkommen unerheblich ob man immer nur über fundamentale Aktiennews oder Unternehmensstrategie oder wie heute über gespaltende Persönlichkeiten ,die dieses Forum aus therapeutischen gründen für sich beanspruchen.Hier ist für jeden Platz, doch ich verstehe nicht das man sich darüber ärgert wenn hier Lächerlichkeiten aufgedeckt werden.Ich denke , sich hier im Forum zu begraben und sich anschließend neu zum Leben zu erwecken, dass ist warlich schlechter Stiel.
Sollte man sich löschen, aus welchen Gründen auch immer, sollte man auch konsequenterweise einen Schlußstrich ziehen und nicht über eine Hintertür wieder teilnehmen.
Mit der Substanz ist das so eine Sache, nicht jeden Tag gibt es Substanzielles zu berichten und dennoch ist es schön wenn die User außerhalb der "News" den Kontakt halten um sich , sowie heute , auszutauschen.
Ich kann hier keine "krankhaften Zustände" erkennen, es sei denn man täuscht die User bewußt,hier , dass wäre bedenklich.  

 

bin die letzten 2tage long, habe aber über frankf. und verkauft. und bin jetzt aber wieder short. jedem der gerade um die 8,40 8,6 rein ist sollte über lang & schwarz raus gehen zahlen momentan noch 9,75 doch morgen wird es ziemlich ungemütlich. nur meine ganz persönliche meinung  

nicht mehr geschaut. So wie es aber aussieht, habe ich wenig verpasst:
immer noch Ananas vs. alle oder so ungefähr :)
Leute, schaut mal kurz im Q-Cells forum.... und nehmt Beispiel.
Aber so ist es auch nicht unlustig, nur weniger sachlich :)
Viel Glück!  

kann ja sein, muss aber nicht.
Ich habe keine Zertifikate oder Hebelprodukte.
Ich halte nur Aktien von denen ich auch mittel bis langfristig überzeugt bin.
Und das ganze hin und her ist natürlich auch glücksache, und der Gewinn muss ja auch versteuert wwerden unter einem Jahr.

Und wenn man davon überzeugt ist das es runter geht, dann muss man auch mit Verlust verkaufen.

Hatte vorgestern auch überlegt, meine Praktiker Aktien zu verkaufen, als sie 6% mittags im plus standen
Abens standen sie dann 9% im plus und am nächsten tag ging es dividendenbereinigt nur 0,5% runter.




 

 

was mich nervt sind Beiträge, die sich stets in dem mit Empörung vorgebrachten Vorwurf wiederholen, ein Forum bzw seine Teilnehmer seien substanzlos, neurotisch, eigentlich überflüssig usf. Ganze Threads leben davon wie der berüchtigte über Gulfside.

 

Normale Reaktion wäre doch, entweder zu gehen oder eben selbst der vorgeblichen Substanzlosigkeit abzuhelfen - durch eigene Qualitätspostings zB.

 

Es gibt zu Einzelaktien wie hier Aixtron nicht jeden Tag relevante Ereignisse oder Info, die zu diskutieren sich lohnen würde. Dazwischen ist eben Talk - der übrigens auch die psychologische Verfassung der Teilnehmer referiert. Ihren Ängsten, Hoffnungen und Enttäuschungen Raum gibt. Und auch die gehören zur Börse, selbst als Fake, weil sie Entscheidungen idR sicher massgeblicher beeinflussen als zB der Tageschart.

 

MfG Humorlos

 

 

Vermutlich wollte Trepiu auf folgendes hinweisen:

Dagobertstaler : Letztes Posting 24.04. - dann selbst gesperrt.

W.the Conqu. : Mitglied seit 24.04.

 

MfG, Humorlos

 

 

 

Auf sein Posting #2213 vom 25.5.2008 (SEIN Inhalt: "das ist meine these zu dieser aktie"), die nirgendwo begründet war, geposted aber auf Seite 89 unseres gemeinsamen Diskussions-Fadens zur AIXTRON-Aktie (WKN: 506620), habe ich den Erik08 in meinem Posting #2214 bekanntlich mit den FAKTEN konfrontiert.

Sein weitschweiftiger Antwort-Versuch in seinem Posting #2215 ("ist für mich der zu aber bei dem unternehmen schon abgefahren") gab dann zu einer erneuten Rückfrage per Posting #2216 meinerseits Anlass, was er damit denn AUSDRÜCKEN wolle. - Auf diese Rückfrage ist ja dann leider von ihm keine "Antwort" mehr erfolgt, noch nicht einmal ein Antwort-VERSUCH.

Und dennoch bin ich mir vollkommen SICHER, dass der User hinter seiner ID auch WEITERHIN hier unter uns weilt - unter welcher ID auch immer...

IMEC and AIXTRON Demonstrate Milestone Towards Fabricating
Low Cost GaN Power Devices



IMEC, Europe's leading independent research center in the field of nanoelectronics, and AIXTRON, the world leader in metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) equipment, have demonstrated the growth of high-quality and uniform AlGaN/GaN heterostructures on 200mm silicon wafers. This demonstration is a milestone towards fabricating low-cost GaN power devices for high-efficiency/high-power systems beyond the silicon limits.

IMEC and AIXTRON deposited, for the first time ever, crack-free AlGaN/GaN structures onto 200mm Si(111) wafers. The layers show good crystalline quality as measured by high-resolution x-ray diffraction (HR-XRD).

Excellent morphology and uniformity were obtained as well. The high-quality AlGaN and GaN layers were grown in AIXTRON's application laboratory on the 300mm CRIUS metal-organic chemical-vapor-phase epitaxy (MOVPE) reactor.

"The demonstration of GaN growth on 200mm Si wafers is an important step towards processing GaN devices on large Si wafers", said Marianne Germain, Program Manager of IMEC's Efficient Power program. "There is a strong demand for GaN-based solid-state switching devices in the field of power conversion. However, bringing GaN devices to a level acceptable for most applications requires a drastic reduction in the cost of this technology.

And that is only possible by processing on large-diameter Si wafers. 150mm, and then 200mm are the minimum wafer sizes we need to fully leverage today's silicon processing capabilities." The bow of the resulting wafers is still quite large, in the range of 100µm; but IMEC believes that an optimized buffer can reduce this bow drastically, enabling further processing. Marianne Germain: "We aim to further develop the growth process and to qualify the wafers to be compatible with Si-CMOS process."

Gallium nitride (GaN) has outstanding capabilities for power, low-noise, high-frequency, high-temperature operations, even in harsh environment (radiation); it considerably extends the application field of solid-state devices. Due to the lack of commercially available GaN substrates, GaN heterostructures are nowadays grown mainly on sapphire and silicon carbide (SiC). Si is a very attractive alternative, being much cheaper than sapphire and SiC. Other benefits include the acceptable thermal conductivity of Si (half of that of SiC) and its availability in large quantities and large wafer sizes. But until now, Si wafers with (111) surface orientation were only available with a diameter up to 150mm. The 200mm wafers were custom-made by MEMC Electronic Materials, Inc. using the Czochralski growth (CZ) method. CZ wafers are ideally suited for switching applications with large breakdown voltages. For such devices, the performance is independent of the resistivity of the Si substrate.

For the AlGaN/GaN heterostructures, a standard layer stack, that had already been successfully demonstrated on 100 and 150mm Si(111) substrates, was used.

First an AlN layer was deposited onto the Si substrate, followed by an AlGaN buffer which provides compressive stress in the 1 micron thick GaN top layer. The stack was finished with a 20nm thin AlGaN (26% Al) layer and capped with a 2nm GaN layer.  From in-situ measurements, researchers from IMEC were able to extract the thickness uniformity of the different layers which show a standard deviation well below 1% over the full 200mm wafers (5mm EE).

Posted 4th June 2008

Link:
http://www.azonano.com/news.asp?newsID=6527  

doch ich glaube diese News tut den Kurs gut.Nachdem die Amis gestern noch stark ins Minus gedreht haben, konnte ich die Aufforderung von the beginner nachvollziehen bei L.& SCHW. zu verkaufen, doch heute sieht die Situation Vorbörslich schon wieder anders aus. Der Nasdaq-Futures liegt mit 3.5 Punkten im Plus und auch der Nikkei immerhin mit 196 Punkten im Plus. Doch da der Tag noch lang ist ,kann noch viel passieren.
13:00 US/MBA, Zahl der Hypothekenanträge (Woche)
14:15 US/ADP-Arbeitsmarktbericht Mai
14:30 US/Produktivität ex Agrar 1Q (2. Veröffentlichung)
15:15 GB/British Airways plc (BA), Verkehrszahlen Mai, London
16:00 US/ISM-Index nicht-verarbeitendes Gewerbe Mai
16:30 US/DoE, Rohöllagerbestände  

schreibe nicht ich :)
Die waren nur auf Englisch zu finden.
Später kommen die vielleicht auch auf Deutsch.
Die unterstreichen jedoch, daß Aix über ein großes Forschungspotenzial verfügt.
 

Vorwurf gemeint, doch ich denke es wird uns schon ein User aus der Patsche helfen.  

soviel Zeit habe ich nicht, mich mit nichts zu beschäftigen.

Da es dir keine Ruhe lässt Terras. Lies mal das Forum genau nach, überlege, ob du mich meinst, ob dein Statement passt. Dem ist nicht so. Mehr ist dazu nicht zu sagen.  

Klar Trepuis erzählt die ganze Zeit ich sei dagobertstaler.... Genauso wie er von seinen Brüdern und Neffen oder was weiß ich für einen überflüssigen Kram hier den Thread zumüllt.

Aber wo ist das Problem?  

einfach auf alta vista- babel fish zum übersätzen gehen.  

 

IMEC und AIXTRON zeigen Meilenstein in Richtung zur Fabrikation Niedrige Kosten GaN Starkstromgeräte IMEC, Europe' s-haben führendes unabhängiges Forschungszentrum im Feld von nanoelectronics und AIXTRON, der Weltführer in der metal-organic Ausrüstung der Chemikaliedampf Absetzung (MOCVD), das Wachstum der hochwertigen und konstanten AlGaN/GaN Heterostrukturen auf 200mm Silikonoblaten gezeigt. Diese Demonstration ist ein Meilenstein in Richtung zu fabrizierenden preiswerten GaN Starkstromgeräten für die high-efficiency/starken Systeme über den Silikonbegrenzungen hinaus. IMEC und AIXTRON niedergelegt, zum ersten Mal überhaupt, Sprung-freie AlGaN/GaN Strukturen auf 200mm Si (111) Oblaten. Die Schichten zeigen gute kristallene Qualität, wie durch hochauflösende Röntgenstrahlbeugung (HR-XRD) gemessen. Ausgezeichnete Morphologie und Gleichförmigkeit wurden außerdem erhalten. Die hochwertigen AlGaN und GaN Schichten wurden in AIXTRON' gewachsen; s-Anwendungslabor auf dem Reaktor der 300mm CRIUS metal-organic Chemikalie-Dampfphase Epitaxie (MOVPE). " Die Demonstration des GaN Wachstums auf 200mm Si den Oblaten ist ein wichtiger Schritt hin zu der Verarbeitung der GaN Vorrichtungen auf großem Si wafers" , sagte Marianne Germain, Projektleiter von IMEC' s-leistungsfähiges Energienprogramm. " Es gibt eine starke Nachfrage nach GaN-gegründeten Festkörperschaltungsvorrichtungen im Feld der Energienumwandlung. Jedoch erfordert das Holen der GaN Vorrichtungen zu einem Niveau, das für die meisten Anwendungen annehmbar ist, eine drastische Verkleinerung in den Kosten dieser Technologie. Und das ist nur möglich, indem man auf mit großem Durchmeser Si-Oblaten verarbeitet. 150mm und dann 200mm sind die minimalen Oblategrößen, die wir today' völlig wirksam einsetzen müssen; s-Silikon, das capabilities." verarbeitet; Der Bogen der resultierenden Oblaten ist noch, in der Strecke 100µm ziemlich groß; aber IMEC glaubt, dass ein optimierter Puffer diesen Bogen drastisch verringern kann und der Weiterverarbeitung ermöglichen. Marianne Germain: " Wir zielen, den Wachstumprozeß weiter zu entwickeln darauf ab und die Oblaten zu qualifizieren, um mit Si-CMOS process." kompatibel zu sein; Galliumnitrid (GaN) hat hervorragende Fähigkeiten für Energie, lärmarme, Hochfrequenz-, Hochtemperaturbetriebe, sogar in der rauen Umwelt (Strahlung); es verlängert beträchtlich das Anwendungsfeld der Festkörperelemente. Wegen des Mangels an handelsüblichen GaN Substraten, GaN Heterostrukturen werden heutzutage hauptsächlich auf Saphir- und Silikonkarbid (SiC) gewachsen. Si ist eine sehr attraktive Alternative und ist viel preiswerter als Saphir und SiC. Anderer Nutzen umfaßt die annehmbare Wärmeleitfähigkeit von Si (Hälfte von dem von SiC) und von seiner Verwendbarkeit in den großen Mengen und in den großen Oblategrößen. Aber bis jetzt, waren Si-Oblaten mit (111) Oberflächenlagebestimmung mit einem Durchmesser bis zu 150mm nur vorhanden. Die 200mm Oblaten waren durch MEMC Electronic Materials, Inc. unter Verwendung der Methode des Czochralski Wachstums (CZ) nach Maß. CZ-Oblaten werden ideal für Schaltungsanwendungen mit großen Durchbruchsspannungen entsprochen. Für solche Vorrichtungen ist die Leistung Unabhängiges der Widerstandskraft des Si-Substrates. Für die AlGaN/GaN Heterostrukturen wurde ein Standardschichtstapel, der bereits erfolgreich auf 100 und 150mm Si (111) Substraten demonstriert worden war, benutzt. Zuerst wurde eine AlN Schicht auf das Si-Substrat niedergelegt, gefolgt von einem AlGaN Puffer, der Druckspannung in der 1 Mikron starken GaN Spitzenschicht liefert. Der Stapel wurde eine 20nm dünn AlGaN (26% Al) Schicht beendet und mit einer Kappe bedeckt mit einer 2nm GaN Schicht. Von den in-situmaßen waren Forscher von IMEC in der Lage, die Stärkengleichförmigkeit der verschiedenen Schichten zu extrahieren, die eine Standardabweichung gut unter 1% über den vollen 200mm Oblaten (5mm EE) zeigen. Informiertes 4. Juni 2008 Verbindung: http://www.azonano.com/news.asp?newsID=6527  

 

und der 9,60 Bereich hat auch gehalten, rein charttechnisch müsste der Dow nach oben laufen, es den die Amis spucken uns wieder in die Suppe  

na mal schauen wo wir zum feierabend stehen, staune aber das aix sich obwohl kaum umsatz heute ist sich aber noch so gut hält, auch wenn der 9,60 bereich nicht gehalten hat