Nach all dem blöden geschreibe wieder mal was Fundamentales zu Singulus.
Singulus schreibt in der Ad-hoc Mitteilung:
SINGULUS TECHNOLOGIES hat 2002 die MRAM Entwicklung auf der Basis ihrer
Technologiekompetenz im Bereich der optischen Speichermedien begonn.
Sehr interesant ist aber auch, das die Mannschaft für die MRAM Entwicklung von der Firma UNAXIS kam. Dieser Teilbereich wurde im Zuge einer Umstrukturierung bei UNAXIS eingestampft. Andere Teilbreiche hingegen wurden jedoch auf dem Markt verkauft.
Dies deutet daraufhin, das für diese Technologie, zu dieser Zeit im Beschichtungsmarkt schon kein Bedarf vorhanden war.
Und wenn man dann noch folgende News von heise.de liest.
NEWS 15.12.2004 15:01
MRAM-Fortschritte von Renesas/Toshiba und Freescale
Anlässlich der IEDM-Halbleiterkonferenz kündigen Renesas und Toshiba Fortschritte bei der Entwicklung schneller MRAM-Speicherchips an, während Freescale bereits ein 4-MBit-MRAM in Mustermengen verkauft.
Die ehemalige Motorola-Halbleitersparte Freescale hat mit dem MR2A16A bereits ein 4-MBit-MRAM in 256Kx16-Organisation im Angebot, das offenbar eine SRAM-kompatible Schnittstelle bietet. Der Chip entsteht in einem 0,18-Mikrometer-Fertigungsprozess und ist bisher nur in Musterstückzahlen und mit Zugriffszeiten von 25 oder 35 Nanosekunden zu haben.
Im Juni hatten IBM und Infineon einen 16-MBit-Prototypen beschrieben, die Firma Cypress offeriert 8- und 32-KByte-MRAMs mit NVE-Technik.
Im Rahmen ihrer seit 2002 kooperativ durchgeführten MRAM-Entwicklung haben Toshiba und das Hitachi-Mitsubishi-Jointventure Renesas Technology anlässlich der IEDM nun Fortschritte auf dem Weg zum konkurrenzfähigen 256-MBit-MRAM präsentiert, mit dessen Herstellung sie 2005 beginnen wollten. Immerhin haben die beiden japanischen Partner einen 1-MBit-Prototypen in 130-Nanometer-CMOS-Technik gebaut, der bei 1,2 Volt Betriebsspannung Frequenzen bis zu 143 MHz erreichen soll -- er wäre also schnell genug für den Einsatz auf Speichermodulen, die bisher mit den vor drei Jahren eingeführten DDR266-Chips arbeiten.
Um höhere Frequenzen als 100 MHz zu erreichen, mussten Renesas/Toshiba die Veränderung des Widerstandes der magnetischen (MTJ-)Zellen steigern, was zwei Maßnahmen erforderlich machte: Einerseits kommt statt einem Kobalt-Eisen-Werkstoff (CoFe) nun eine Verbindung mit dem zusätzlichen Element Bor zum Einsatz (CoFeB), außerdem wurde die Schichtdicke des Tunnel-Dünnfilms optimiert. Dabei kümmerte man sich gleichzeitig auch um den elektrischen Widerstand des Zellen-Aufbaus und die Zellen-Fläche, die nun bei 0,81 Quadratmikrometern liegt (hier aktuelle Vergleichswerte von 6T-SRAM-Zellen).
Ob und ab wann nichtflüchtige MRAM-Speicherchips in gewöhnlichen PCs zum Einsatz kommen werden, bleibt weiterhin offen. Weil sich auch DDR-SDRAM kontinuierlich und schnell weiterentwickelt und sich sehr preiswert fertigen lässt, kommen aktuelle Desktop-Rechner mittlerweile mit 512 MByte oder gar 1 GByte Grundausstattung in den Handel -- MRAM müsste also sehr schnell sehr preiswert und in riesigen Stückzahlen hergestellt werden können, um in typischen Lowcost-Produkten wie x86-Computern einsetzbar zu sein. Dafür wären auch neue Mainboard-Chipsätze nötig, die SRAM-artige RAM-Chips ansteuern könnten -- solche sind auf keiner Roadmap in den nächsten zwei Jahren auch nur angedeutet. Die Ausstattung von MRAMs mit einer SRAM-Schnittstelle und die erreichbaren Speicherkapazitäten lassen erste Anwendungen eher im Bereich von tragbaren Mobilgeräten (Handy, PDA) erwarten -- oder in speziellen Geräten, wo die MRAM-Technik deutlichere Vorteile bringt. Wenn ich das lese und bedenke das UNAXIS diesen Teilbereich im Jahr 2001 eingestampft hat (da wahrscheinlich nicht verkaufbar, kein Intersse im Markt vorhanden). Kann man ja davon ausgehen das Singulus hier einen Riesen-Flop gelandet hat. Der nun aber sehr gut zum Trommeln genutzt werden kann. Den warum haben damals die Big Player in der Halbleiter-Industrie, die jetzt strategische Partner werden sollen, nicht zugegriffen (oder sind längst Kunde). |
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