SILAN verstärkt UHB-LED-Produktion mit sechs AIXTRON CRIUS(R) II Anlagen neuester Generation Aachen, 6. Juli 2010 - Die AIXTRON AG (FSE: AIX; NASDAQ: AIXG) hat im zweiten Quartal 2010 eine Bestellung über sechs CRIUS(R) II Anlagen in einer 55x2-Zoll-Konfiguration von der Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. (SILAN) erhalten. Das in Hangzhou, China, angesiedelte Unternehmen erhält die Anlagen zwischen viertem Quartal 2010 und erstem Quartal 2011 und wird diese für die Massenproduktion von GaN-basierenden ultrahellen blauen und grünen LEDs einsetzen. Jiang Zhongyong, Geschäftsführer Silan Azure, plant eine Kapazitätssteigerung für nitridbasierte LED-Wafer: 'Es war naheliegend, hier die neue CRIUS(R) II Technologie einzusetzen, die entscheidende Vorteile in Form höherer Wachstumsraten bei hohem Prozessdruck und mehr als doppelt so hoher Produktivität bietet. Ich bin sicher, dass die Anlage unsere Anforderungen auch in Bezug auf Prozesssteuerung, homogene Beschichtung, Dotierung und Schichtzusammensetzung erfüllen wird. Dank unserer guten Geschäftsbeziehungen und der schnellen Reaktionszeiten des AIXTRON Teams können wir von einem optimalen Verlauf bei Installation und Betrieb der neuen CRIUS(R)-Anlage in unserer Produktionsstätte in Hangzhou ausgehen.' SILAN entwickelt, produziert und vertreibt integrierte Schaltungen, LED-Produkte und elektronische Komponenten, überwiegend in der chinesischen Provinz Zhejiang. Hauptprodukte sind integrierte Schaltungen für digitale Audio- und Video-Anwendungen, Power Management ICs*, LED-Treiberschaltungen sowie Schaltungen für DC-Motoren. 'Die neue CRIUS(R) II von AIXTRON ermöglicht unseren Kunden kürzeste Inbetriebnahmezeiten bei minimaler Wartung - auf der Basis einer bewährten Technologie,' betont Tony Pearce, Geschäftsführer AIXTRON Ltd. 'Serienmäßig ausgestattet mit dem ARGUS-Pyrometersystem kann von nun an die Oberflächen-Temperatur in Echtzeit gemessen und analysiert werden, um ein Temperaturprofil der gesamten Suszeptoroberfläche zu erstellen.' |