AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN*-LEDs auf den Markt Aachen, 6. Juli 2011 - AIXTRON setzt einen neuen Maßstab für MOCVD**-Anlagenkapazität, Durchsatz und LED-Produktionskosten. Durch die Einführung der neuen AIXTRON CRIUS(R) II-L Anlage mit der weltweit größten MOCVD-Reaktorkapazität können Kunden nun zwischen einer Waferkonfiguration von 16x4-Zoll oder 69x2-Zoll wählen. Diese neue Reaktorentwicklung basiert auf der in 2010 sehr erfolgreich eingeführten und im Markt erprobten CRIUS(R) II Plattform, auf die die Kunden ihre qualifizierten und effizienten LED-Prozesse bereits reibungslos transferieren konnten. 'Die Senkung der Produktionskosten ist das ausschlaggebende Kriterium in der LED-Industrie, besonders in Hinblick auf die Kostenreduktion der LED-Beleuchtung. Wir haben die MOCVD relevanten Produktionskosten analysiert und festgestellt, dass die Reaktorkapazität als Schlüsselparameter die Betriebskosten am meisten beeinflusst', erklärt Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON. 'Der weltgrößte Reaktor der neuen CRIUS(R) II-L Anlage ist derzeit einzigartig und führt, im Produktionsbetrieb getestet, zu einer schnelleren Reduzierung der LED-Chipkosten. Neben unübertroffener Kapazität und Durchsatz bietet die Anlage aufgrund ihrer erstklassigen Homogenität und Reproduzierbarkeit außerordentliche Ausbeute.' Das Design des CRIUS(R) II-L Reaktors sei für Wafergrößen von 2- bis 8-Zoll optimiert und biete noch weiteres Potential zur Steigerung der Produktivität, so Dr. Beccard. Wie auch die Vorgänger-Generationen basiert die CRIUS(R) II-L Anlage auf dem Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Konzept, die Schlüsseltechnologie, die sich durch reibungslosen und schnellen Prozesstransfer bewährt hat. Über die Jahre hat sich die in vielen Märkten etablierte CCS-Technologie eine exzellente Anerkennung erarbeitet und ist besonders für ihre direkte Prozesssteuerung, die gleichbleibend stabilen Prozesse und ausgezeichneten Eigenschaften der LEDs bekannt. * GaN LEDs, gallium nitride LEDs = Galliumnitrid LEDs ** MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6 AIXTRON SE NA O.N. ; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041 AIXTRON SE ADR REG.-SHS ) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar. Kontakt: Guido Pickert Investor Relations and Corporate Communications AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com www.aixtron.com Zukunftsgerichtete Aussagen Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der 'Safe Harbor'-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie 'können', 'werden', 'erwarten', 'rechnen mit', 'erwägen', 'beabsichtigen', 'planen', 'glauben', 'fortdauern' und 'schätzen', Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die tatsächlichen Ergebnisse und Trends können wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen abweichen. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen aufgeführt und bei der U.S. Securities and Exchange Commission eingereicht hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands sowie den ihm derzeit verfügbaren Informationen und haben Gültigkeit zum Zeitpunkt dieser Mitteilung. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht. Ende der Corporate News -------------------------------------------------- |
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