MOCVD ist ein Verfahren zur Herstellung von kom - plexen Halbleiterstrukturen, wie sie in modernen elektronischen und opto-elektronischen Bauelemen - ten, wie z. B. LEDs, Laser, Solarzellen oder Hoch - geschwindigkeitstransistoren, verwendet werden. Im Gegensatz zum bekannten Silizium (aus dem z.B. Com - puterchips hergestellt werden) bestehen diese Halb - leiter nicht nur aus einem einzigen Element , son dern aus mindestens zweien und mehr. Sie werden daher als „Verbindungshalbleiter“ bezeichnet. Zu diesen Elementen gehören z. B. Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und Aluminiumnitrid (AlN). Da sie entsprechend ihrer Anordnung im Perioden - system aus der III. und V. Hauptgruppe stammen und kristalline Verbindungen miteinander eingehen, werden sie auch III-V-Halbleiter genannt |