Aachen/Germany, 12. Oktober 2010 – Die Formosa Epitaxy Inc. (FOREPI) wird eine AIX G5 HT MOCVD1-Anlage mit einer Waferkapazität von 56x2-Zoll zur Herstellung Galliumnitrid-basierter (GaN) ultraheller LEDs einsetzen. Die im zweiten Quartal 2010 bestellte Anlage wird im vierten Quartal 2010 ausgeliefert und die zahlreichen bereits vorhandenen Planetary Reactor-Anlagen in FOREPIs moderner Produktion in Lung-Tan, Taoyuan, Taiwan ergänzen.
„Dies ist unsere erste G5 – und wir gehen davon aus, dass wir unsere bestehenden Prozesse reibungslos übertragen werden können," skizziert Dr. Fen-Ren Chien, Vorstandsvorsitzender bei FOREPI. „Sobald dies gelungen ist, können wir den Kauf weiterer Produktionssysteme vornehmen."
Grund für den Kauf seien die durchgängig sehr guten Ergebnisse der bereits eingesetzten AIXTRON Anlagen G4 und CRIUS gewesen. Folglich sei das Interesse an den neuen Anlagengenerationen G5 und CRIUS II entsprechend groß. Nach erfolgreichem Prozesstransfer will FOREPI alle Möglichkeiten der G5 – ausgezeichnete GaN-Depositionsraten bei einem Reaktordruck höher 600 mbar mit sehr guter GaN/InGaN2-Homogenität – vollständig ausschöpfen.
Mit AIXTRONs neuer Anlagengeneration können Hersteller innovative Produktionslösungen umsetzen und die ambitionierten Durchsatz- und Produktivitätsziele erreichen, die im Markt derzeit gefordert werden. Die Anlagen zeichnen sich durch verschiedene neue Komponenten aus, so zum Beispiel ein spezieller Gaseinlass, eine Graphit-Reaktordecke und das Zusatzfeature EqiSat. EqiSat regelt die homogene Oberflächentemperatur auf allen Wafern – womit eine nochmalige Ertragssteigerung erzielt wird.
Seit mehr als zehn Jahren ist FOREPI auf die Herstellung InGaN-basierter Wafer und Chips für Hochleistungs-LEDs spezialisiert und langjähriger Anwender von AIXTRON Systemen in diesem Bereich. Dass der Hersteller mit seinem Angebot im Bereich der High-End-Anwendungen - etwa bei der Hintergrundbeleuchtung für LCD-Fernseher - auf die richtige Strategie gesetzt hat, beweist die aktuelle hohe Nachfrage. |