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AIXTRON Planetary Reactor-Technologie wird Basis für effektivere SiC Epitaxieprozesse bei SiCED
Aachen, 13. November 2007 – AIXTRON AG gibt bekannt, dass SiCED Electronics Development GmbH ihre Siliziumkarbid Epitaxiekapazitäten mit dem neuesten Typ des Planetenreaktors erweitert. SiCED, ein Joint Venture von Siemens und Infineon mit Sitz in Erlangen, erhält eine AIX 2800G4 HT-Anlage mit einer Waferkapazität von anfänglich 10x100mm und zukünftig 6x150mm.
SiCEDs Geschäftsführer Dr. Peter Friedrichs erläutert: „In den vergangenen 10 Jahren entwickelten sich die Produktionstechnologien zur Herstellung von SiC Bauelementen für die Leistungselektronik zu einer solchen Marktreife, dass wir uns jetzt für die Zukunft der SiC Epitaxie aufstellen können. Mit der AIX 2800G4 HT Planetenanlage für SiC-Materialien profitieren wir von einer signifikant vergrößerten 100mm-Kapazität. Auf zukünftige SiC Waferdurchmesser sind wir darüber hinaus dank der 150mm-Fähigkeit des Systems, welche auf AIXTRONs Expertise für Produktionsanlagen mit hohem Waferdurchsatz aufbaut, gut vorbereitet. In den vergangenen sechs Jahren haben wir bei der SiCED AIXTRONs Heißwand-Planetenreaktor in der Fertigung eingesetzt und waren von der Reproduzierbarkeit der Produktionsergebnisse sehr beeindruckt. Auf einer Basis von mehr als 1.000 prozessierten 3-Zoll SiC-Wafern pro Jahr erreichen wir eine Wafer Ausbeute von 99% für kommerzielle Hochleistungs-Schottky-Dioden. Mit der neuen Produktionsanlage werden wir die Epitaxiekosten für Anwendungen in der SiC-Leistungselektronik weiter senken.“
Dr. Frank Wischmeyer, Geschäftsführer von AIXTRONs Tochtergesellschaft Epigress AB, fügt hinzu: „AIXTRONs Planetentechnologie hat sich bei SiCED in der Produktion von SiC-Schottky-Dioden mit einer nachgewiesenen Produktionssausbeute von 99% bewährt. Wir sind stolz, dass SiCED 2008 seine Produktion von SiC Leistungsbauelementen mit der neuesten Generation des Planentenreaktors, AIX 2800G4 HT, erweitern wird. Dieses System ist in der Lage 10x100 mm oder 6x150 mm SiC-Wafer zu beschichten, welches eine Steigerung der Waferkapazität von mehr 100% im Vergleich zur heute eingesetzten 6x100 mm VP2400HW-Anlage darstellt. Für die Epitaxie von qualitativ hochwertigem SiC ist das System die derzeit größte Anlage mit dem höchsten Durchsatz im Markt.“
Über SiCED
SiCED GmbH & Co. KG ist ein Joint Venture zwischen Siemens und Infineon, das auf die Entwicklung von elektronischen SiC-Leistungsbauelementen spezialisiert ist. SiCED wurde im Jahr 2000 aus einer Siemens-Forschungsgruppe gebildet. Zu den Kernkompetenzen des Unternehmens zählen neben der Entwicklung von SiC- Leistungsbauelementen, die Herstellung von qualitativ hochwertigen SiC-Epitaxieschichten und der Test und die Simulation von SiC-Halbleitern. Weitere Informationen über SiCED sind im Internet unter
www.siced.de verfügbar.
Der Begriff Planetary Reactor® ist ein eingetragenes Warenzeichen.
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