EQS-Media / 18.09.2023 / 08:30 CET/CEST
GlobiTech setzt auf AIXTRON für ExpanGlobiTechsion in den SiC-Markt
AIXTRONs G10-SiC ermöglicht führender Foundry den Eintritt in die Großserienproduktion für die SiC-Epitaxie.
Herzogenrath, 18. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) unterstützt die Foundry GlobiTech Inc. ("GlobiTech") dabei, ihr Geschäft auf Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie auszuweiten. Die Grundlage hierfür bildet AIXTRONs neue G10-SiC-Anlage: Sie ermöglicht es GlobiTech, einer der weltweit größten Silizium-Epitaxie-Foundries, die SiC-Epitaxie-Produktion schnell ins Volumen zu bringen, um die global steigende Nachfrage nach Power SiC -Epi-Wafern zu bedienen. GlobiTechs Entscheidung für die G10-SiC ist eine zukunftsweisende Investition, denn AIXTRONs neues System, das eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen von 9x150 und 6x200 mm bietet, ermöglicht den höchsten Durchsatz pro Produktionsfläche, der aktuell in der SiC-Industrie erreicht wird.
Die G10-SiC wurde offiziell im September 2022 vorstellt. Innerhalb kürzester Zeit hat sich die neue Anlage zum Referenzsystem für Hersteller von Leistungselektronik auf Basis von 150- und 200-mm-SiC-Bauelementen sowie für Foundries wie GlobiTech entwickelt. GlobiTech ist eine hundertprozentige Tochtergesellschaft von GlobalWafers Co. ("GlobalWafers"), die Siliziumkarbid- und Silizium-Epitaxie-Wafer herstellt und sich auf den Energiesektor und das Marktsegment der Elektrofahrzeuge (EV) konzentriert.
"Wenn einer der größten Epi-Wafer-Hersteller und Foundries wie GlobiTech sein Geschäft diversifiziert, ist das ein klares Signal für einen langanhaltenden Trend in der Halbleiterindustrie: SiC ersetzt in immer mehr Anwendungen das klassische Silizium. Entscheidet sich ein führendes Unternehmen wie GlobiTech für AIXTRON und für unsere neue G10-SiC, ist es darüber hinaus natürlich eine große Ehre und gleichzeitig noch vielmehr: Denn es bestätigt unsere Gesamtstrategie und ist ein Indiz für weiteres Wachstum", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.
GlobiTech mit Sitz in Sherman im US-Bundesstaat Texas nutzt neben der G10-SiC von AIXTRON aktuell auch Anlagen des Typs G5WW C, um damit im industriellen Maßstab zu produzieren. In den kommenden Jahren werden weitere Anlagenkapazitäten installiert. Nach dem Vorbild des Siliziumgeschäfts liefert GlobiTech für den Markt sowohl SiC-Substrate als auch SiC-Epitaxie.
„Mit AIXTRON haben wir einen starken Partner gefunden, der uns dabei unterstützt, unsere Vision sowie unsere Pläne und das Geschäft auf den SiC-Epitaxie-Markt auszuweiten. Das ist ein entscheidender Schritt, da die SiC-Technologie einer der am schnellsten wachsenden Zweige in der Halbleiterindustrie ist. Mit den AIXTRON-Anlagen gelingt es uns, in unserer Fab den höchsten Wafer-Ertrag zu erzielen. Hinzu kommt, dass das Team von AIXTRON einfach genau weiß, was es im Wettbewerb mit Silizium braucht, um in diesem Markt erfolgreich zu wachsen – und das ist gepaart mit einem hervorragenden Kundenservice", sagt Mark England, Präsident von GlobalWafers.
Die G10-SiC ist die erste SiC-Epitaxie-Anlage auf dem Markt, die die Produktion von SiC-Epi-Wafern im industriellen Maßstab ermöglicht. Da die G10-SiC eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen mit 9x150 und 6x200 mm bietet, unterstützt sie die SiC Industrie maßgeblich bei dem Übergang von derzeit 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll) Wafer-Durchmesser. Die neue Plattform basiert auf AIXTRONs bewährten Lösung zur vollautomatischen Wafer-Beladung von Kassette zu Kassette (Cassette-to-Cassette) inklusive Hochtemperatur-Wafer-Transfer. In Kombination mit den Prozessfähigkeiten für hohe Wachstumsraten und einer exzellenten Epi-Wafer-Leistung in Bezug auf Qualität und Uniformität bietet die G10-SiC den besten Durchsatz ihrer Klasse pro Quadratmeter Produktionsfläche. Damit ermöglicht sie die niedrigsten Betriebskosten, die bisher in der Industrie erreicht wurden. AIXTRON geht davon aus, dass die neue G10-SiC im Jahr 2023 das meistverkaufte Produkt des Unternehmens sein wird.
Gruß
  baggo-mh
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